无忧基地网友对ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET的评论

摘要：意法半导体(ST)宣布推出一款250A表面贴装的功率MOSFET，新产品STV250N55F3据称拥有最低的导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。 新产品STV250N55F3是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III的其它优点包括：开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线 的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。 新产品的高额定电流可允许工程师... 察看ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET全文