无忧基地网友对RFMD射频开关RF1200和RF1450采用GaAspHEMT工艺制造的评论

摘要：RFMD近日在美国加利福尼亚举行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关RF1200和RF1450。RF1200和RF1450利用RFMD业界领先的GaAs生产工艺，并将进一步推进用于RFMD传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模GSM/WCDMA蜂窝手机、天线调谐器、IEEE802.11a/b/gWLAN和蜂窝基础设施等的前端器件。RF1200为一款单刀双掷(SPDT)大功率开关，可满足WCDMA产品的所有线性要求，具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。RF1200采用0.5μmGaAsp... 察看RFMD射频开关RF1200和RF1450采用GaAspHEMT工艺制造全文