无忧基地网友对罗姆与日产开发出抗击穿性提高的新结构SiC二极管的评论

摘要：罗姆与日产汽车共同开发出了可靠性高的SiC二极管。采用了日产开发的异质结二极管（Heterojunction Diode，HJD)结构，与以往使用肖特基二极管（Schottky Diode，SBD）的SiC二极管相比，雪崩耐量(Avalanche Capability）提高到了原来的10倍左右，抗击穿性大幅提高，达到了原来的10倍左右。异质结为聚硅与SiC的组合体。 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减。此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。 为了用于混合动力车、燃料电池车、电动汽车车等的逆变器上，要求使用高耐压、大电流容量的二极管。... 察看罗姆与日产开发出抗击穿性提高的新结构SiC二极管全文